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扫地机器人产品上,需一颗肖特基二极管,反向电压40V左右,正向电流4A,SMC封装,是否有推荐方案?
推荐扬杰科技SS34,资料链接如下:https://www.sekorm.com/doc/previewDoc?docId=2111879&code=0
扫地机器人的原理是什么?
扫地机器人,又称自动打扫机、智能吸尘、机器人吸尘器等,是智能家用电器的一种,能凭借一定的人工智能,自动在房间内完成地板清理工作。一般采用刷扫和真空方式,将地面杂物先吸纳进入自身的垃圾收纳盒,从而完成地面清理的功能。一般来说,将完成清扫、吸尘、擦地工作的机器人,也统一归为扫地机器人。
扫地机器人常用的传感器有哪些?
扫地机器人上有很多传感器,包括光电、红外、编码器等传感器,推荐世强的智能规划路线扫地机器人优选器件方案,可以参考文档:https://www.sekorm.com/doc/490130.html。
扫地机器人自动规划路线是如何实现的
可以参考世强元件电商平台资料,【应用】基于水晶材质陀螺仪及高功率激光二极管的高效率低成本扫地机器人方案
扫地机器人组成和功能是什么?
扫地机器人一般由电源系统、控制系统、传感系统、驱动系统组成,且具有路线规划、防撞防跌、自动报警、远程监控、灰尘侦测等功能。
长晶科技Trench MOS选型表
长晶科技提供以下技术参数选型表,VDS:-100V~100V,VGS:±8V~±20V等
产品型号
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品类
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Type
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Process
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ESD(Yes/No)
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VDS(V)
|
ID(A)
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RDS(mΩ)@VGS10V Max
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RDS(mΩ)@VGS4.5V Max
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2N7000_TO-92
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Trench MOS
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Single-N
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Trench
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No
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60V
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0.2A
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5000mΩ
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6000mΩ
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长晶科技MOS选型表
长晶科技提供如下MOS的技术选型:VDS(V)范围:-100~+650;VGS(V)范围:±6~±30;ID(A)范围:-100~+248.....长晶科技的MOS有SOP8、SOT-223、CSPC3420-10、DFN1006-3L等多种封装形式,可广泛应用于汽车,工业,电源,家电,电脑周边,通讯,照明,医疗,新能源,电汽等领域。
产品型号
|
品类
|
Status
|
Type
|
Process
|
ESD(Yes/No)
|
VDS(V)
|
VGS(V)
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ID(A)
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VGS(TH)(V)
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RDS(mΩ)@VGS(10V Typ)
|
RDS(mΩ)@VGS(10V Max)
|
RDS(mΩ)@VGS(4.5V Typ)
|
RDS(mΩ)@VGS(4.5V Max)
|
Package
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2N7000_TO-92
|
Trench MOS
|
Active
|
Single-N
|
Trench
|
No
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60
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-
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0.2
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0.8~3
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-
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5000
|
-
|
6000
|
TO-92
|
TO-252封装的小小N沟道MOSFET蕴藏大能量,合科泰提供人型机器人方案的芯动力
随着智能机器人技术的不断进步,对功率开关器件的要求也越来越高。TO-252封装的N沟道MOSFET凭借其卓越的性能和广泛的应用场景,成为了智能机器人领域的首选。选择合适的功率开关器件,将助力您的智能机器人项目取得成功。
长晶科技二极管选型表
长晶科技提供如下二极管的技术选型:IF(mA)范围:+50~+60000;VR(V)范围:+1.1~+2000;VF(V)范围:+0.35~+3.5.....长晶科技的二极管有SOD-123、SMBF、SOD-123FL、SMCG等多种封装形式,可广泛应用于汽车,工业,电源,家电,电脑周边,通讯,照明,医疗,新能源,电汽等领域。
产品型号
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品类
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Status
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PD(mW/W)
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IF(mA)
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VR(V)
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VF(V)
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IR(uA)
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Package
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2CZ4007_SOD-123
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普通整流二极管
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Active
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350mW
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1000
|
1000
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1.1
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5
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SOD-123
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【产品】长晶科技推出采用SOT-23塑料封装的N沟道MOSFET CJ3402,栅极电压±12V
长晶科技推出一款采用SOT-23塑料封装的N沟道MOSFET——CJ3402,该器件采用先进的沟槽技术,具有出色的漏源导通电阻和低栅极电荷特性,可在低至2.5V的栅极电压下工作,适用于负载开关、PWM应用。
60V/47A的N沟道MOSFET SL75N06Q可用于包装设备的高频开关,阈值电压2.4V@250μA
SL75N06Q是一款具有60V漏源电压和47A连续漏极电流的N沟道MOSFET,以其低导通电阻(8.5mΩ@10V,20A)和较低的阈值电压(2.4V@250μA)而著称。这些特性使其成为包装设备系统中高频开关的理想选择,而在高频开关技术的不断发展的条件下,SL75N06Q的潜力将进一步得到挖掘和应用。
【产品】漏源电压高达600V的N沟道MOSFET SLP5N60C/SLF5N60C,持续漏极电流4.5A
美浦森推出的SLP5N60C/SLF5N60C是两款漏源电压高达600V的N沟道MOSFET。这种功率MOSFET采用了美浦森先进的平面条纹DMOS技术。该技术特别为最小化导通电阻,提供卓越的开关性能以及在雪崩和换向模式下承受高能量脉冲而设计。
【产品】漏源电压600V的N沟道MOSFET SLP8N60C/F8N60C,栅极电荷典型值29nC
美浦森SLP8N60C/SLF8N60C是漏源电压高达600V的N沟道MOSFET;采用平面条纹DMOS技术,为最小化导通电阻,提供卓越的开关性能以及在雪崩和换向模式下承受高能量脉冲而设计;非常适合高效开关电源、基于半桥拓扑的有源功率因数校正。
用于定位机器人的精密齿轮箱:德欧泰克快速开关MOSFET DI100N10PQ,导电阻通仅4.5mΩ
DIOTEC的快速开关MOSFET DI100N10PQ PowerQFN 5x6封装与定位机器人的精密齿轮箱完美配合。该器件是一个80A/100V N沟道MOSFET,可提供最佳性能。典型的导电阻通非常低,仅为4.5mΩ,有助于减少热量的产生。其超快的开关时间使得即使在高频开关驱动逆变器时也能保持低功率损耗。
【产品】低栅极电荷的N沟道MOSFET SLP840C/SLF840C,器件漏源电压高达500V
美浦森推出的SLP840C/SLF840C是两款漏源电压为500V的N沟道MOSFET。这种功率MOSFET采用了美浦森(Maplesemi)先进的平面条纹DMOS技术。该技术特别为最小化导通电阻,提供卓越的开关性能以及在雪崩和换向模式下承受高能量脉冲而设计。
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使用FloTHERM和Smart CFD软件,提供前期热仿真模拟、结构设计调整建议、中期样品测试和后期生产供应的一站式服务,热仿真技术团队专业指导。
实验室地址:深圳 提交需求>

提供稳态、瞬态、热传导、对流散热、热辐射、热接触、和液冷等热仿真分析,通过FloTHERM软件帮助工程师在产品设计初期创建虚拟模型,对多种系统设计方案进行评估,识别潜在散热风险。
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