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医疗的心电项目,需要MOS,参数:VDS 85V、Id 132A、TO-220-3L封装,请帮忙推荐。
推荐捷捷微的JMSH0804BCS,资料:https://www.sekorm.com/doc/3757167.html
医疗的心电项目,需要高压MOS,参数:VDS 650V、Id 40A、TO-263封装, 请帮忙推荐。
推荐无锡紫光微的TPB65R090M,资料参考:https://www.sekorm.com/doc/1892051.html
医疗的心电项目,需要MOS,参数:VDS 80V、Id 110A、PDFN5x6-8L封装,请帮忙推荐。
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医疗的心电项目,需要MOS,参数: VDS 80V、Id 144A、PDFN5x6-8L封装,请帮忙推荐。
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医疗的心电项目,需要高压MOS,参数:VDS 700V、Id 3A、SOT-223-2L封装,请帮忙推荐。
推荐无锡紫光微的TPY70R1K5MB,资料参考:https://www.sekorm.com/doc/1452076.html
捷捷微电MOS选型表
捷捷微电提供以下技术参数的MOS选型,VDS_Max:-100V~1000V,VGS(th)_Typ:-2V~3.5V等
产品型号
|
品类
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Confi-guration
|
VDS_Max(V)
|
ID_Max(A)
|
VGS(th)_Typ(V)
|
RDS(ON)_Typ@VGS =10V(mΩ)
|
RDS(ON)_Max@VGS=10V(mΩ)
|
RDS(ON)_Typ@VGS=4.5V(mΩ)
|
RDS(ON)_Max@VGS=4.5V(mΩ)
|
VGS_Max(V)
|
EAS_Max(mJ)
|
Ciss_Typ(pF)
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Coss_Typ(pF)
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Crss_Typ(pF)
|
Qg_Typ(nC)
|
MPQ
|
MOQ
|
封装
|
JMSL040SAGQ
|
MOS
|
N
|
40V
|
387A
|
1.5V
|
0.58mΩ
|
0.75mΩ
|
0.8mΩ
|
0.99mΩ
|
±20V
|
506mJ
|
7654pF
|
3738pF
|
44pF
|
114nC
|
3000
|
30000
|
PDFN5x6-8L
|
激光焊接机上寻一款MOS,替换IPB016N06L3GATMA1,要国产,求推荐。
推荐捷捷微NMOS JMSH1001AE7,TO-263-7L封装,VDS耐压100V,在25℃条件下,最大ID漏电流达290A,最大导通电阻2mΩ,相关规格书参考链接:https://www.sekorm.com/doc/3238532.html。
某BMS项目上需要一款国产的MOS管,10V/30A ,TO263封装,,请问有无合适推荐?
你好推荐扬杰科技的YJB30GP10A,耐压100V,电流30A,耗散功率125,TO263封装 产品规格书https://www.sekorm.com/doc/2229539.html
帮忙找一颗车规MOS管,具体参数,40V、15-20A、SO8、车规,主要关注一下封装和内阻
您好,根据您的需求给你推荐长晶科技的车规MOS,CJQ14SN06封装SOP8、电流14A,60V,内阻9.7mΩ。 详情请查看数据手册:https://www.sekorm.com/doc/2331957.html。
做一个35W的电源项目,用的一颗高压MOS,NCE65T540F,TO-220F封装,想找一颗能替代的,最好也是TO-220F封装的,求推荐。
推荐捷捷微的JMPF20N65G1,参数650V,20A,满足要求可以试一下,规格书https://www.sekorm.com/doc/3415991.html
请帮忙推荐一颗高压MOS,Vds750V以上,导通电流不小于15A,常规封装,尽量国产的
推荐NCE的NCE80T320,800V,17A,同时有多种常规封装可选,导通内阻也比较低,数据手册如下:https://www.sekorm.com/doc/1435066.html
耐压600-650V,电流10A以上直插T220封装的MOS,有推荐吗?
推荐捷捷微的JMH65R190AC,数据手册:https://www.sekorm.com/doc/3653762.html
户外电源逆变回路需要一款低压MOS用于推挽升压,要求:100V 3.5mΩ N沟道,100A,TO-220-3L封装,请推荐。
推荐世强代理的捷捷微JMSH1004BC 参考链接:https://www.sekorm.com/product/874083.html
3KVA DC-DC项目中需要一款低压MOS管,要求漏源耐压值40V左右,漏极电流不低于30A,最好是DFN封装,满足车规认证要求,是否有合适的方案推荐?
你好,可以评估一下捷捷微电的JMSL0406AGDQ,此方案过AEC-Q101认证,漏源耐压值40V,漏极电流平均值35A,为DFN5*6封装,详细评估资料如下:https://www.sekorm.com/doc/3757082.html。
1200V 80mΩ sic mos有没有TO247-4L封装,对比TO247-3L有什么性能优势?
Littelfuse 1200V 80mΩ sic mos TO247-4L封装2019年会推出,对比TO247-3L封装,TO247-4L封装有以下几点性能优 势; 1、采用开尔文源极连接,降低了栅极电路上的寄生源极电感效应,实现更快的切换并提高效率。 2、增加了DS引脚间距,增加爬电距离,满足5000米海拔高度要求; 3、栅极信号优化,减小栅极驱动震荡,易于控制。
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