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充电电源的项目，之前用的英飞凌的方案，现在要替换驱动IR21814，要求PTP，性能参数相近，有合适的国产推荐吗？
可以看一数明半导体的SLM21814CJ-DG，工作电压达600V，拉灌电流为2.5A/3.5A，这颗应该可以符合要求。 数据手册可以参考：https://www.sekorm.com/doc/3386885.html
英飞凌高低边驱动IR2106，请问国产有替代吗？
推荐数明半导体SLM2101S，可以替代，参考资料：https://www.sekorm.com/doc/3743019.html
车充项目上用了英飞凌的2EDS9265H，寻求合适国产方案替代
门驱推荐数明半导体的SLMi8235DD，峰值输出电流为4.0A，SOP16W封装，规格书：https://www.sekorm.com/doc/2588843.html
工业伺服项目，想找一颗三相栅极驱动器，要求电压满足600V，12V供电电压，耐高温，要求国产，有推荐么？
推荐国产上海贝岭的三相栅极驱动器IC BL8636，具有600V MOS管电压，10V-20V的宽供电电压，-40℃~125℃的宽工作温度范围，可参考规格书，链接：https://www.sekorm.com/doc/3736218.html
Infineon(英飞凌) 的IR2085STRPBF有替代的吗
您好，推荐SLM27211CA-DG，1、通道数 ：两路集成一体，可以节省驱动器数量；2、源极输出电流3A：满足大功率回路设计需求； 规格书：https://www.sekorm.com/doc/3304279.html
【IC】圣邦微电子推出车规级单通道高速低侧栅极驱动器SGM48536xQ，SOT-23-6绿色封装
圣邦微电子推出车规级SGM48536xQ，一款具有负输入电压耐受能力的单通道高速低侧栅极驱动器。该器件可应用于车载PTC、电机驱动、DC/DC转换中功率MOSFET、IGBT的驱动。
屹晶微电子驱动芯片选型表
屹晶微电子提供如下参数的驱动芯片：悬浮电源60~600V，低端电源 2.8~36V，不同的输入逻辑，有1/2/4/6四种通道，死区0~1300ns等参数。
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产品型号
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品类
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悬浮电源 V
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低端电源 V
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输入逻辑
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输出电流 A
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低端电源欠压保护(V)
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高端电源欠压保护(V)
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闭锁保护
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使能
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开延时（Ton）LO/HO
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关延时（Toff）LO/HO
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上升时间（Tr）LO/HO
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下降时间（Tf）LO/HO
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死区（nS)
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通道
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封装
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替代、兼容型号
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特点
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EG1160
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单相半桥驱动芯片
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600
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10-20
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HIN, LIN
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2.0/2.5
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8.5/7.9
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8.2/7.5
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有
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有
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280/300
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150/170
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120/120
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80/100
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160
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2
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SOP16
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-
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带运放+比较器+LDO+SD
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EG2032 芯片数据手册 MOS 管栅极驱动芯片
EG2032是一款高性价比的大功率MOS管、IGBT管栅极驱动专用芯片，适用于无刷电机控制器等应用。芯片具有高端悬浮自举电源设计，耐压可达220V，适应5V、3.3V输入电压，最高频率支持500KHZ，输出电流能力IO+/- 1A/1.5A，内建死区控制电路和闭锁功能，封装形式为SOP8。
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【应用】国产栅极驱动器SCT52240STDR可P2P兼容UCC27424，助力伺服驱动器
国内某工业客户设计一款伺服驱动器，需要一款栅极驱动器，要求电源范围4.5V-15V、快速传播延迟15ns、SOIC-8封装等参数要求，客户想选一款国产化产品，笔者推荐国产芯洲的栅极驱动器SCT52240STDR可Pin to Pin兼容TI UCC27424。
【选型】CMOS栅极驱动光耦取代传统光耦驱动器，让电源设计者更轻松
Silicon Labs Si826x系列CMOS隔离栅极驱动器，封装和引脚都兼容栅极门驱动光耦，可直接进行替换而不需要做印制电路板改动。并且器件可使用在定制方式下工作或使用传统光驱动器输入电路。Si826x隔离门驱动器产品与光驱动器相比，其时序性能比光驱动器快8到10倍。这有利于它们在低中频应用像电机驱动、医疗设备和开关模式电源系统中使用。
SGM48013C高速栅极驱动器采用绿色SOT-23-5封装，提供热关断保护和欠压锁定等保护功能
SGM48013C是一款高速栅极驱动器，能够有效驱动MOSFET和IGBT电源开关。当VDD为20V时，它可提供高达8A的峰值拉电流和13A的峰值灌电流。SGM48013C还提供全面的保护功能，例如热关断保护和欠压锁定，并可在4.5V至20V的宽电源电压范围内工作。SGM48013C采用绿色SOT-23-5封装，其工作温度范围为-40℃至+125℃。
EG2005 MOS 管栅极驱动芯片数据手册
EG2005是一款由屹晶微电子有限公司生产的MOS管栅极驱动芯片，适用于大功率MOS管和IGBT管的驱动。该芯片具备高端悬浮自举电源设计，耐压高达220V，支持5V和3.3V输入电压，最高频率达500kHz。它内置死区控制和闭锁功能，输出电流能力为±0.3A/±0.6A，并采用SOP8封装。
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请问世强这边有替代TI的UCC5350SBDR单通道隔离式栅极驱动器吗？要求P2P，应用于大功率LED调光。
这边给你推荐纳芯微的NSI6601B-DSPR，可ptp TI的UCC5350SBDR，主要参数都符合。可驱动IGBT、功率MOSFET和SiC MOSFET，用于大功率LED调光也合适。其数据手册为https://www.sekorm.com/doc/2640163.html
EG3118 大功率 MOS 管、IGBT 管栅极驱动芯片数据手册
EG3118是一款大功率MOS管和IGBT管栅极驱动芯片，具有高端悬浮自举电源设计，耐压可达650V，适应5V、3.3V输入电压，最高频率支持1MHz，输出电流能力IO+/- 2.5A/2.5A。该芯片适用于无刷电机控制器、移动电源、高压快充开关电源、电动车控制器、变频水泵控制器等领域。
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【产品】双通道4A的高速低侧栅极驱动器SL27523/4/5，可高效安全地驱动MOSFET以及IGBT
SL27523/4/5是双通道4A的高速低侧栅极驱动器，可以高效安全地驱动MOSFET以及IGBT。低传播延迟和失配以及紧凑的SOP-8封装等特点，使得MOSFET的开关频率可以达到数百kHz。这款芯片非常适合用于服务器和通讯电源的同步整流驱动。
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可定制变压器支持60W-600W范围，额定电流最高10A，漏感稳定度最小3%；支持开关变压器、电流感测变压器、栅极驱动变压器、LLC谐振变压器、PoE变压器等产品定制。SPQ为5K。
提交需求>
可定制变压器电压最高4.5KV，高频30MHz；支持平面变压器、平板变压器、OBC变压器、DCDC变压器、PLC信号变压器、3D电源、电流变压器、反激变压器、直流直流变压器、车载充电器变压器、门极驱动变压器等产品定制。
最小起订量：100000 提交需求>
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