我想买图片里型号一模一样的场效应管
-
创建于2021-03-26
2个回答
-
- 用户_8134 (0)
世强没有代理ST的产品,推荐ROHM的r6050jnz4,50a600V规格,to-247封装,参考规格书:R6050JNZ4 Nch 600V 50A Power MOSFET
- 创建于2021-03-26
-
- bsy1984 Lv8 (0)
- 图片中的MOS管是ST的50N60DM2,50a600V,to-247封装,门极集成TVS箝位,推荐国产紫光微的TPW60R090MFD,47a600V,TO-247封装,只是门极没有集成TVS,相关资料参考:https://www.SEKORM.com/doc/1732040.html。
- 创建于2021-03-26
- |
- +1 赞 0
- 收藏
平台合作
相关推荐
场效应管的性能与双极性三极管比较具有哪些特点?
场效应管和双极性三极管主要区别是输入阻抗大不一样,场效应是电压控制电流,三极管是电流控制电流 。
场效应管选型注意哪些参数?
场效应管选型主要注意电压、电流、极限参数、直流参数、交流参数等。
场效应管震荡是什么原因
场效应管产生振荡的原因可能是变压器发射过来的电压叠加在管子上造成振荡,这种情况容易击穿场效应管,处理方法一般是加RCD吸收回路。
目前场效应管的内部结构有几种?各有什么优缺点?
场效应管按结构可分为结型场效应管(缩写为JFET)和绝缘栅场效应管(缩写为JGFET),从导电方式看,场效应管分为N型沟道型与P型沟道型。绝缘栅型场效应管有增强型和耗尽型两种,而JFET只有耗尽型
场效应管的升压原理?
举个简单的例子:有一个12V的电路,电路中有一个场效应管需要15V的驱动电压,这个电压弄出来就是用自举。通常用一个电容和一个二极管,电容存储电荷,二极管防止电流倒灌,频率较高的时候,自举电路的电压就是电路输入的电压加上电容上的电压,起到升压的作用。 自举电路只是在实践中定的名称,在理论上没有这个概念。自举电路主要是在甲乙类单电源互补对称电路中使用较为普遍。 甲乙类单电源互补对称电路在理论上可以使输出电压Vo达到Vcc的一半,但在实际的测试中,输出电压远达不到Vcc的一半。其中重要的原因就需要一个高于Vcc的电压。所以采用自举电路来升压。
【经验】可背面散热的封装MOSFET热阻和容许损耗的计算方式,掌握环境温度、MOSFET的功率损耗以及RthJA值
本文介绍可背面散热的MOSFET封装和其热阻和容许损耗之间的关系,通过ROHM的产品封装如:TO-220FM和TO-247等可带散热器的封装、TO-252和TO-263等可将背面引脚安装在电路板上的封装举例,讲解MOSFET热阻和容许损耗的计算。
推荐一款SIC-MOSFET的评估板,主要用于TO-247-3L和TO-247-4L封装的SIC-MOSFET性能测试。
推荐ROHM的SiC-MOSFET 评估板P02SCT3040KR-EVK-001,内置绝缘栅极驱动IC (BM6101FV-C),适用于TO-247 3pin与4pin封装的管子性能测试,相关资料可以参考:https://www.sekorm.com/news/98493148.html。
世强你好,求介绍一款高性能开关电源芯片,要求集成700V功率MOSFET和高压启动电路,最高频率40kHz,具有OLP,OCP,AOCP,OVP,OTP多种保护功能,超低待机功耗<100mW,封装SOP-8,工作环境温度: -40°C~+85°C。望推荐,谢谢!
我们推荐必易微的高性能开关电源芯片,型号为KP3116SGA,满足集成700V功率MOSFET和高压启动电路,最高频率40kHz,具有OLP,OCP,AOCP,OVP,OTP多种保护功能,超低待机功耗<100mW,封装SOP-8,工作环境温度: -40°C~+85°C的需求。您可评估一下! 相关资料如下链接: https://www.sekorm.com/Web/Search/keyword/KP3116SGA
新洁能沟槽式场效应管双芯封装的20V产品,具有低导通电阻和极低的栅极电荷,提供高效的移动电源解决方案
新洁能推出了一系列专用于该应用领域的Normal Trench MOSFET(普通沟槽式场效应管)双芯封装的20V产品。具有更低的导通电阻,降低了器件本身的发热,从而确保锂电池工作温度不会过高。
UPS电源项目,找一款贴片场效应管,N沟道|200V|18.0A|0.18Ω|TO-252|R10,贵司代理的HI-SEMICON有合适方案推荐吗?
可以看看HI-SEMICON,SFD18N20;SFD18N20,N沟道MOSFET:18A,200V TO-252-2L封装;RDS(开)(典型0.15Ω)@VGS=10 V;详细规格书链接:https://www.sekorm.com/doc/3721809.html
英飞凌 BSC520N15NS3G 场效应管,有对应的国产型号替代吗,要求封装P2P?
为您推荐强茂的PJQ5494_R2_00001型号,150V/ 40A,完全可以替代英飞凌 BSC520N15NS3G 场效应管。 PJQ5494_R2_00001的参考链接地址如下:https://www.sekorm.com/product/102789.html
有没有耐压值在40V左右,SOT-23封装的PMOS,过电流能力在2A左右
推荐ROHM的PMOS RQ5H020SP, 耐压-45V,电流-2A,封装TSMT3,详细资料可登录RQ5H020SP Pch -45V -2.0A Power MOSFET Datasheet
世强你好,一款灯控制器产品需要用到一款N MOS,要求V-DS>40V,I-D>150A,工作温度能达到150°C,TO-220-3L封装 ,请帮忙推荐合适型号。
您好,推荐NCE N沟道超级沟槽功率MOSFET NCEP60T20,满足V-DS=60V,I-D=200A,175°C工作温度,R-DS(ON)仅为1.8(典型值),满足TO-220-3L封装。资料请参考链接:https://www.sekorm.com/doc/1436710.html
带和封装晶体管/MOSFET SOT-323(UMT3)T106
本资料详细介绍了SOT-323 (UMT3)封装的T106类型晶体管(MOSFET)的包装和装带规格。内容包括组件描述、装带尺寸、装带和包装规格、卷带规格、处理方式、数量、卷带尺寸、标记、剥离强度、推荐存储条件、包装和注意事项等。资料旨在为用户提供产品使用和存储的详细信息。
ROHM - MOSFET,TRANSISTOR,晶体管,T106
电子商城
现货市场
服务

提供电机的输出反电势波形测试、驱动芯片输入/输出波形测试服务,帮助您根据具体应用场景来选择适合的电机驱动芯片型号,确保电机驱动芯片能够与其他系统组件协同工作达到最佳效果。支持到场/视频直播测试,资深专家全程指导。
实验室地址: 成都 提交需求>

可根据用户的wifi模块,使用无线连接测试仪MT8862A,测试IEEE802.11a/b/g/n/ac (2.4Ghz和5Ghz)设备的TX、RX射频特征,输出测试报告。支持到场/视频直播测试,资深专家全程指导。
实验室地址: 深圳 提交需求>