平台合作
相关推荐
高速相干光模块设计需要高频时钟作为DSP等器件的参考,如果不选用超过1.5GHz的高频晶振,是否还有其它的时钟发生器可以推荐?
建议使用SI5342H相干光模块专用时钟发生器,最高支持2.75GHz的高频时钟信号输出,且配合DSPLL做了优化,非常适合相干光模块或相干设备时钟设计。
请问silicon lab的时钟发生器有可以输出无源晶体的2个管脚的功能吗,去替换无源晶体?
silicon lab的时钟发生器输出有2种形式,单端时钟输出和差分时钟输出;无源晶体的2个管脚配合芯片内部的震荡电路才能启振,而silicon lab的时钟发生器单端输出是作为振荡器功能直接输出时钟波形的,一般直接接extal引脚就可以了。
请问Silicon Labs的高性能无线时钟发生器Si5382的XA/XB参考时钟可以选择无源晶体吗?
Silicon Labs的高性能无线时钟发生器Si5382的XA/XB参考时钟可以选择无源晶体;
Silicon Labs去抖时钟发生器SI5324的参考晶振频点必须是114.285MHz吗?可否选择无源晶体或者稳定的输入时钟代替?
Silicon Labs去抖时钟发生器SI5324的参考晶振主要作为内部DCO的参考时钟,频点必须是114.285MHz,以获得最佳的DCO输出频率,实际应用时可以选择无源晶体或者稳定 度较高的参考时钟代替,通常建议使用114.285MHz的晶体,与内部OSC组成频率振荡电路,避免受到外部的干扰。
用于纸币清分机的5L35023可编程时钟发生器,其输入为无源晶体时,可以使用泛音晶体吗?
5L35023可编程时钟发生器支持外接无源晶体,但是建议使用基频晶体而不是泛音晶体,以获得最佳的输出时钟性能。
长晶科技TVS二极管&ESD二极管选型表
长晶科技提供如下TVS二极管&ESD二极管的技术选型:Ppp(W)范围:+19~+15000;VRWM(V)范围:+1.5~+45633;IR(uA)范围:+0.01~+5000;VC(V)范围:+3.88~+828.....长晶科技的TVS二极管&ESD二极管有SOD-723、SOP8、SOT-143、DFNWB2×2-3L、DO-15等多种封装形式,可广泛应用于汽车,工业,电源,家电,电脑周边,通讯,照明,医疗,新能源,电汽等领域。
产品型号
|
品类
|
Status
|
Ppp(W)
|
VRWM(V)
|
VBRMin(V)
|
VBRMax(V)
|
IR(uA)
|
VC(V)
|
IPP(A)
|
it(mA)
|
Package
|
SMDJ440CA_SMCG
|
TVS二极管
|
Active
|
3000
|
440
|
492
|
543
|
1
|
713
|
4.21
|
1
|
SMCG
|
长晶科技达林顿管&晶体管&双晶体管选型表
长晶科技提供如下达林顿管&晶体管&双晶体管的技术选型:VCEO(V)范围:-400~+400;PCM范围:150(mW)~2(W);IC范围:-10(A)~10(A);VCBO(V)范围:-400~+400;VEBO(V)范围:-10~+15,具有PNP、NPN两种Polarity模式可选.....长晶科技的达林顿管&晶体管&双晶体管有TO-126、TO-220-3L、DFNWB3×2-8L、SOT-223、SOT-23等多种封装形式,可广泛应用于汽车,工业,电源,家电,电脑周边,通讯,照明,医疗,新能源,电汽等领域。
产品型号
|
品类
|
Status
|
Polarity
|
VCEO(V)
|
PCM
|
IC
|
VCBO(V)
|
VEBO(V)
|
hFE@VCE(V)
|
hFE MIN
|
hFE MAX
|
hFE@IC
|
VCEsat(V)
|
VCE@IC
|
VCE@IB
|
Package
|
MMDT3906_SOT-363
|
双晶体管
|
Active
|
PNP
|
-40
|
200(mW)
|
-200(mA)
|
-40
|
-5
|
-1
|
100
|
300
|
-10(mA)
|
-0.4
|
-50(mA)
|
-5(mA)
|
SOT-363
|
长晶科技二极管选型表
长晶科技提供如下二极管的技术选型:IF(mA)范围:+50~+60000;VR(V)范围:+1.1~+2000;VF(V)范围:+0.35~+3.5.....长晶科技的二极管有SOD-123、SMBF、SOD-123FL、SMCG等多种封装形式,可广泛应用于汽车,工业,电源,家电,电脑周边,通讯,照明,医疗,新能源,电汽等领域。
产品型号
|
品类
|
Status
|
PD(mW/W)
|
IF(mA)
|
VR(V)
|
VF(V)
|
IR(uA)
|
Package
|
2CZ4007_SOD-123
|
普通整流二极管
|
Active
|
350mW
|
1000
|
1000
|
1.1
|
5
|
SOD-123
|
长晶科技MOS选型表
长晶科技提供如下MOS的技术选型:VDS(V)范围:-100~+650;VGS(V)范围:±6~±30;ID(A)范围:-100~+248.....长晶科技的MOS有SOP8、SOT-223、CSPC3420-10、DFN1006-3L等多种封装形式,可广泛应用于汽车,工业,电源,家电,电脑周边,通讯,照明,医疗,新能源,电汽等领域。
产品型号
|
品类
|
Status
|
Type
|
Process
|
ESD(Yes/No)
|
VDS(V)
|
VGS(V)
|
ID(A)
|
VGS(TH)(V)
|
RDS(mΩ)@VGS(10V Typ)
|
RDS(mΩ)@VGS(10V Max)
|
RDS(mΩ)@VGS(4.5V Typ)
|
RDS(mΩ)@VGS(4.5V Max)
|
Package
|
2N7000_TO-92
|
Trench MOS
|
Active
|
Single-N
|
Trench
|
No
|
60
|
-
|
0.2
|
0.8~3
|
-
|
5000
|
-
|
6000
|
TO-92
|
长晶科技稳压二极管&车规级稳压二极管选型表
长晶科技提供如下稳压二极管的技术选型:PD(mW)范围:+100~+5000;VZTyp(V)范围:+1.8~+330;IZT(mA)范围:+0.05~+380;IR(uA)范围:+0.01~+300.....长晶科技的稳压二极管有SOT-23、SOT-323、SMBG、SOD-123等多种封装形式,可广泛应用于汽车,工业,电源,家电,电脑周边,通讯,照明,医疗,新能源,电汽等领域。
产品型号
|
品类
|
Status
|
PD(mW)
|
VZTyp(V)
|
VZMin(V)
|
VZMax(V)
|
IZT(mA)
|
IR(uA)
|
IR@VR(V)
|
Package
|
MMSZ5238CS_SOD-323
|
稳压二极管
|
Active
|
200
|
8.7
|
8.53
|
8.87
|
20
|
3
|
6.5
|
SOD-323
|
长晶科技数字晶体管选型表
长晶科技提供如下数字晶体管的技术选型:IO(mA)范围:-100~+500;VCC(V)范围:-50~+50;VO(on)(V)范围:-0.3~+0.3;Pc(mW)范围:+100~+625.....具有PNP、NPN两种Polarity模式可选,长晶科技的数字晶体管有TO-92、SOT-353、SOT-363、SOT-523等多种封装形式,可广泛应用于汽车,工业,电源,家电,电脑周边,通讯,照明,医疗,新能源,电汽等领域。
产品型号
|
品类
|
Status
|
Polarity
|
IO(mA)
|
VCC(V)
|
Gi
|
VO(on)(V)
|
R1(Ω&KΩ)
|
Package
|
UMH14N_SOT-363
|
双数字晶体管
|
Active
|
NPN
|
100
|
50
|
100
|
0.3
|
47+(KΩ)
|
SOT-363
|
BF820/BF822 SOT-23塑料封装晶体管
本资料介绍了江苏长景电子科技有限公司生产的SOT-23封装的BF820和B F822型NPN晶体管。该晶体管具有低电流(最大50mA)、高电压(最大300V)的特点,适用于电话和专业通信设备。
长晶科技 - TRANSISTOR,塑料封装晶体管,PLASTIC-ENCAPSULATE TRANSISTORS,晶体管,BF820,BF822
KSA931 TO-92MOD塑料封装晶体管
本资料介绍了江苏长景电子科技有限公司生产的KSA931型号PNP晶体管。该晶体管适用于低频放大和中速开关应用,具有低功耗、高增益等特点。资料提供了详细的电气参数、最大额定值和应用电路图。
长晶科技 - TRANSISTOR,塑料封装晶体管,PLASTIC-ENCAPSULATE TRANSISTORS,晶体管,KSA931-TA,KSA931
S9015 TO-92塑料封装晶体管
本资料介绍了江苏长景电子科技有限公司生产的S9015型TO-92封装晶体管。该晶体管为PNP型,具有低电压、高电流增益等特点,适用于各种电路设计和应用。
长晶科技 - TRANSISTOR,塑料封装晶体管,PLASTIC-ENCAPSULATE TRANSISTORS,晶体管,S9015,S9015-TA
8550SS SOT-23塑料封装晶体管
本资料介绍了江苏长景电子科技有限公司生产的8550SS型PNP晶体管。该晶体管具有高集电极电流,与SS8050互补。资料提供了最大额定值、电气特性、典型特性和封装尺寸等信息。
长晶科技 - TRANSISTOR,塑料封装晶体管,PLASTIC-ENCAPSULATE TRANSISTORS,晶体管,8550SS
电子商城
现货市场
服务市场

可定制高压电源模块的输入电压100VDC-2000VDC、功率范围5W-500W/4W-60W; 高压输出电源模块的输出电压100VDC-2000VDC。功率范围:4W-60W。
提交需求>

可定制VC厚度最薄0.25±0.03mm,Qmax 650W,0.4mmVC可设计最大散热面积6000 mm2,铜VC可采用复合毛细结构:蚀刻+铜粉烧结。
最小起订量:10000 提交需求>