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电动汽车上逆变器需要一个二极管，要求TO-220-2且SIC，有什么推荐的吗？
您好，可以考虑派恩杰（PN Junction）品牌的产品。品类为SiC Schottky Diode的P2D06010T2采用TO-220-2封装。650V SiC Schottky Diode, VRRM=650V, Qc=22nc, IF(≤135℃)=13A,VF=1.5V。参数上附合贵司要求，附上规格书链接： https://www.sekorm.com/product/192446.html
PD快充上需要一款SiC二极管，要求DFN，650V，有什么推荐？
推荐 国产泰科天润，G5S06506QT 650V/6A碳化硅肖特基功率二极管，650/6A，DFN8*8, 详细参考：https://www.sekorm.com/doc/2283530.html
亲们，帮忙推荐一款替换英飞凌IDH06G65C5的碳化硅二极管物料，650V,6A。
答：你好，推荐基本半导体 B1D06065K，参数SiC Schottky Diode,VRRM= 650V,IF(Tc=150°C) =7.2A,QC=19.5nC，TO-220-2，可以实现替换，交期4-6W，可以考虑，附上规格书链接：https://www.sekorm.com/product/103636.html 。
大神们，这边有个矿机电源的项目，需要找一款可靠性比较强的SIC二极管，电压650V
你好，推荐基本半导体650V/10A的碳化硅二极管B1D10065KF，可用于矿机电源上，之前我们有客户做过对比，这款产品实测效率更高，产品更具高性能优势，可以考虑，附上规格书链接：https://www.sekorm.com/doc/1516799.html 。
大神们，我这边矿机电源上要找一款碳化硅二极管，替换CREE C3D03060A ，有啥推荐的。
推荐泰科天润的G3S06503A，描述：650V；3A-碳化硅肖特基二极管。详情：https://www.sekorm.com/doc/1389912.html
【IC】基本半导体正激DCDC开关电源芯片BTP1521x，最高工作频率可达1.3MHz
基本半导体自主研发的BTP1521x是一款正激DCDC开关电源芯片，集成上电软启动功能及过温保护功能，输出功率可达6W。该电源芯片工作频率通过OSC脚设定，最高工作频率可达1.3MHz，适用于给隔离驱动芯片副边电源供电。芯片有SOP-8封装、DFN3*3-8封装两种封装形式。
国产第三代半导体企业探究SiC芯片研发及封装的可靠性，提升碳化硅功率器件质量
质量的狭义概念是衡量器件在当前是否满足规定的标准要求，即产品性能是否与规格书描述的内容一致。广义上质量和可靠性有关，可靠性是衡量器件寿命期望值的指标，即通过可靠性结果计算器件能持续多久满足规范要求。本文中，国产碳化硅领军企业的基本半导体将从碳化硅芯片研发和封装方面探讨可靠性问题。
B3D30120HC SiC肖特基二极管
本资料介绍了B3D30120HC型碳化硅肖特基二极管的产品特性、电气特性、热特性、应用领域和封装参数。该二极管具有低漏电流、零反向恢复电流、温度独立开关行为等特性，适用于开关电源、不间断电源、服务器/电信电源、功率因数校正和太阳能等领域。
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B2M012120N SiC MOSFET
本资料介绍了B2M012120N型号的碳化硅（SiC）MOSFET的特性、最大额定值、电学特性、热特性、封装参数和应用领域。该器件具有高阻断电压、低导通电阻、高速开关和高频操作等优点，适用于多种电源转换应用。
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B2M040120T SiC MOSFET
本资料详细介绍了B2M040120T型号的SiC MOSFET产品，包括其产品概述、特性、应用领域、最大额定值、电气特性、封装特性、热特性、开关特性、典型性能、封装尺寸和修订历史。该产品适用于高频率操作，具有高阻断电压、低导通电阻和低电容等特点，适用于开关电源、微逆变器、太阳能逆变器、电机驱动器、DC/DC转换器和OBC等领域。
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B3D06065KS SiC肖特基二极管
本资料介绍了B3D06065KS SiC肖特基二极管的产品特性、应用领域和电气参数。该二极管采用TO-220隔离封装，具有650V重复峰值反向电压、13A/6A正向电流和15nC反向恢复电荷等特性。适用于开关电源、不间断电源、服务器/电信电源、功率因数校正和太阳能等领域。
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B2M065120T SiC MOSFET
本资料详细介绍了B2M065120T型号的SiC MOSFET产品，包括其产品概述、特性、应用领域、最大额定值、电气特性、封装特性、热特性、开关特性、典型性能、封装尺寸和修订历史。该产品适用于高频率操作，具有高功率密度和低热沉要求。
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大功率开关电源项目，需求一款SIC肖特基二极管，VRRM： 650V，IF： 10A，TO252-2封装，麻烦推荐一款，感谢！
您好，推荐基本半导体的 B1D10065E，VRRM 650V，IF 10A，TO252-2封装。 数据手册链接如下：https://www.sekorm.com/doc/2260925.html
B3D06065E SiC肖特基二极管
该资料介绍了B3D06065E型号的650V SiC肖特基二极管，属于TO-252-3封装。该二极管具有低漏电流、零反向恢复电流、温度独立开关行为和正温度系数等特性，适用于开关电源、不间断电源、服务器/电信电源、功率因数校正和太阳能等领域。
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B2D40065HC1 SiC肖特基二极管
本资料介绍了B2D40065HC1型号的碳化硅肖特基二极管，该器件具有650V重复峰值反向电压和40A连续正向电流。它采用TO-247-3封装，具备极低的反向电流、无反向恢复电流、温度独立开关特性以及正温度系数等特点。该产品适用于开关电源（SMPS）、不间断电源、电机驱动器和功率因数校正等领域。
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