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某电源系统上需要一颗100V，45A的MOS管，TO252封装，请问有合适推荐的吗
你好，推荐扬杰科技的YJD45G10A，采用TO-252封装，漏源电压最大额定值为100V，器件的漏极电流最大额定值可达45A，脉冲漏极电流最大额定值180A。 产品规格书https://www.sekorm.com/doc/2229551.html
某项目上需要一款低压MOS管，40V/20A，对标FDD4243，TO252封装，请问有合适推荐的吗
你好，推荐长晶科技的CJU40P04，漏源电压(Vdss)：40V 连续漏极电流(Id)：40A 功率(Pd)：74W 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)：10.5mΩ@10V,10A 阈值电压(Vgs(th)@Id)：1.5V@250uA 产品规格书https://www.sekorm.com/doc/2331996.html
求问性价比高的导热绝缘材料有啥推荐？是用在6.6KW OBC中MOS管端，TO220和TO247封装
推荐博恩的BNK10，其导热系数为1.3W/mK，击穿电压6KVac，是一款以绝缘性能非常好的导热绝缘材料，性价比高，详细介绍：https://www.sekorm.com/news/97248440.html
TO252封装650V20A的MOS管型号有吗?
TO252封装的650V20A的MOS管型号目前没有，但是有其它封装的650V\20A的MOS管可以推荐，推荐ROHM(罗姆)的MOS，相关型号推荐如下表格，请参考。
我司在温控器产品上需要5通道的触摸芯片，有没有小封装性价比高的推荐？
推荐我司代理的晶尊微的SC05A，性价比高，封装为通用的SOP-16，详细参数见：https://www.sekorm.com/doc/2156237.html
扬杰科技MOSFET选型表
扬杰科技提供MOSFET产品，漏源电压VDSS(V)：-100V~900V，漏极电流ID(A)：-115~300，耗散功率PD(W)：-0.83W~375W；
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产品型号
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品类
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Package
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Status
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ESD
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Configuration
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Type
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VDSS(V)
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ID(A)
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PD(W)
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VGS(V)
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Tj(℃）
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Vth_Typ(V)
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Rdson@VGS10V_TYP(mΩ)
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Rdson@VGS10V_Max(mΩ)
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Rdson@VGS4.5V_TYP(mΩ)
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Rdson@VGS4.5V_Max(mΩ)
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Ciss_Typ(pF)
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Coss_Typ(pF)
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Crss_Typ(pF)
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Qg_Typ(nC)
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Grade
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2N7002
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MOSFET
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SOT-23
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Active
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No
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Single
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N
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60
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0.34
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0.35
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±20
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150
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1.5
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1200
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2500
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1300
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3000
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27.5
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2.75
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1.9
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1.6
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Standard
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选型表 - 扬杰科技 立即选型
华润微电子专有SKY MOS技术有效提高电动车续航里程，实现节能减排
华润微电子MOS产品参数一致性高，性能稳定，在电动车BMS和电动车驱动应用中市场占比最高，其专有的SKY MOS技术有效提高了续航里程，节能减排和车辆使用寿命。
扬杰科技应用在OBC上的SiC MOS半桥模块（SMPD）封装相比于单管产品有何优点？
扬杰科技应用在OBC上的SiC MOS半桥模块是顶部散热封装，且内部集成绝缘陶瓷垫片，具备良好的可靠性，与外部绝缘垫片的单管相比，热阻也更低，此外其内部还可以集成NTC热敏电阻。
光模块缓启应用中须推荐一国产MOS，要求：单通道PMOS、DS=-20V、电流4-5A、Rds内阻越小越好，优先DFN封装。
推荐扬杰YJQ4666B，电流可达7A，手册参考链接：https://www.sekorm.com/doc/1948042.html。
【应用】扬杰科技MOS管YJQ1216用于光模块，导通电阻低，采用DFN小封装利于产品小型化
在电信工业和微波电路设计领域，在插入的瞬间容易产生较大的浪涌电流以及其它一些干扰，为了防止对后级电路产生影响，客户会普遍使用MOS管达到电流缓启动的目的。扬杰科技推出的MOS管YJQ1216A，低导通电阻，采用DFN小封装，可应用于光模块缓启动上电。
正在给客户设计一款机顶盒，需要使用一颗MOS器件，之前设计用的是安森美的KRLML6401，新项目需国产化，请问有合适的产品可以推荐吗？
您好，根据您的需求推荐国产扬杰科技的YJL2305B，可以兼容替代，封装为SOT23封装，详细参数可参考规格书链接https://www.sekorm.com/Web/Search/keyword/YJL2305B
光模块目前在用一颗安世小封装的MOS管2N7002BKV，由于封装问题不好找替换料，帮忙推荐一颗可以P2P替换的物料？
推荐国产品牌扬杰科技2n7002KDW替换，60V 0.34A SOT363封装，满足性能参数要求，资料链接：https://www.sekorm.com/doc/2135501.html。
1200V 80mΩ sic mos有没有TO247-4L封装，对比TO247-3L有什么性能优势？
Littelfuse 1200V 80mΩ sic mos TO247-4L封装2019年会推出，对比TO247-3L封装，TO247-4L封装有以下几点性能优 势； 1、采用开尔文源极连接，降低了栅极电路上的寄生源极电感效应，实现更快的切换并提高效率。 2、增加了DS引脚间距，增加爬电距离，满足5000米海拔高度要求； 3、栅极信号优化，减小栅极驱动震荡，易于控制。
某BMS项目上需要一款国产的MOS管，10V/30A ，TO263封装，，请问有无合适推荐？
你好推荐扬杰科技的YJB30GP10A，耐压100V,电流30A，耗散功率125，TO263封装 产品规格书https://www.sekorm.com/doc/2229539.html
替换UTT25P10 ，P mos ， 100V 15A的 PMOS，封装是T0-252 结电容和内阻小
您好，推荐扬杰YJD28GP10A，数据手册：https://www.sekorm.com/doc/2506972.html
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