求推荐2GHz以内的VGA，要求die或者chip封装的?

求推荐2GHz以内的VGA，要求die或者chip 封装的?
创建于2018-11-07

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用户_2304 (0)

推荐IXYS（力特收购）MPS-013001-84 砷化镓场效应晶体管（gaas FET）放大器，是一颗可工作在100m到3GHz的VGA，详细介绍见https://www.sekorm.com/news/93076520.html

创建于2018-11-08
hsf Lv7 . 资深专家 (0)

ALM-81224-BLKG

创建于2018-11-08
用户17361329 Lv7 . 资深专家 (0)

LGA-44

创建于2018-11-07

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有没有DIe的AGC推荐一波啊，要求频率范围10MHz到2GHz以内？给电最好是+5V的？

推荐UMS的数控衰减器CHT4012a98F，Die，3.3或者5V供电。和您链路上的放大器配合使用，可以实现AGC功能。链接如下：https://www.sekorm.com/doc/45695.html

2018-10-29 - 技术问答代理服务技术支持采购服务

10G光模块上寻一款3.3K防硫化电阻，或者边缘的电阻，0201，精度10%以内，求推荐。

推荐光颉科技防硫化电阻AS01FTF3301A，封装0201，阻值3.3K，精度:±1%，电阻温度系数±200ppm/℃，功率1/20W，相关规格书参考链接：https://www.sekorm.com/doc/2618251.html。

2022-01-26 - 技术问答代理服务技术支持采购服务

1200V MOS，小电流3A以内即可。封装为TO252，求推荐！

推荐RENESAS的2SK2225-80-E#T2和2SK2225-E， 1500V ,2A。库存充足。详情请查看：https://www.sekorm.com/Web/Search/keyword/2SK2225-E

2018-10-24 - 技术问答

wafer、die、chip的区别？

Wafer指完整的晶圆，通常有6吋、8吋、12吋等规格，Die指完整晶圆上切割出的单元裸片，Chip一般指封装完成的芯片

2018-11-09 - 技术问答

需要A1341的样品，或者可以替换的物料，求推荐？谢谢

芯进的可编程线性霍尔传感器CC6511能替换，其静态共模输出点为50% VCC；测量范围宽，线性度优于0.2%；1MHz 斩波频率，IC 静态工作电流为2.5mA；性能优良，现货供应，数据手册：芯进电子（CrossChip）CC6511可编程线性霍尔传感器IC数据手册

2019-07-24 - 技术问答代理服务技术支持采购服务

【选型】EPC氮化镓场效应晶体管用于多线激光雷达，具备小封装，开关频率可达100MHz

某用户想研制一款多线激光雷达，主要应用于交通领域，想找一款效应晶体管用来驱动激光器，经过评估我们推荐了EPC氮化镓场效应晶体管EPC2221，它具备小封装，尺寸仅为1.35x1.35mm，开关频率可达100MHz。

2023-02-14 - 器件选型代理服务技术支持采购服务

【技术】氮化镓场效应晶体管两种散热方式，你知道么？

EPC场效应晶体管的D2PACK封装具的RθJA值小至18℃/W，而封装SO-8具有RθJA值大到34℃/W。

2018-02-26 - 技术探讨代理服务技术支持采购服务

2SK3019晶体管N沟道场效应晶体管

该资料详细介绍了AiT Semiconductor Inc.生产的2SK3019 N沟道场效应晶体管。该晶体管采用SOT-523封装，具有低导通电阻、快速开关速度和低电压驱动等特点，适用于便携式设备，并支持并联使用。

AIT - TRANSISTOR,N-CHANNEL FIELD-EFFECT TRANSISTOR,N沟道场效应晶体管,晶体管,2SK3019,切换,接口,便携式设备,PORTABLE EQUIPMENT,INTERFACE,SWITCHING

OCT 2024 - 数据手册 - REV1.0 代理服务技术支持采购服务

【新产品】PDFN 5X6封装的N沟道增强型场效应晶体管YJG40G10A

YJG40G10A为扬杰科技推出的N通道增强型场效应晶体管，非常适用于电源开关应用、硬开关和高频电路和不间断电源供应等相关领域。采用SGT MOSFET技术设计，漏源电压为100V，漏电流为40A（@TC=25°C）。采用高密度单元设计，具有较低RDS（ON）。

2020-11-19 - 新产品代理服务技术支持采购服务

【产品】YJQ50N03A型N沟道增强型场效应晶体管，采用DFN3.3×3.3封装

扬杰科技推出的YJQ50N03A型N沟道增强型场效应晶体管，采用DFN3.3×3.3封装，Trench低压功率MOSFET技术，可用于电源转换和电机驱动等领域。其结温和存储温度范围均为-55~+175℃，可以在严苛的温度环境下工作，稳态下结至外壳热阻典型值为3.9℃/W。

2021-01-31 - 新产品代理服务技术支持采购服务

H2SK3078A 高频场效应晶体管

本资料介绍了HUAXUANYANG HXY品牌的H2SK3078A高频场效应晶体管。该器件具有开关速度快、驱动电路简单等特点，适用于400MHz至470MHz频率范围内的应用。资料提供了详细的电参数、特征曲线和应用线路图，以及封装外形尺寸。

华轩阳电子 - 高频场效应晶体管,H2SK3078A

2024/6/5 - 数据手册代理服务技术支持采购服务

【产品】30V漏源电压的N通道增强型场效应晶体管YJG150N03A，采用PDFN 5X6封装

扬杰科技推出的N通道增强型场效应晶体管YJG150N03A，采用沟槽功率中压MOSFET技术，具有低RDS（ON）特点，采用PDFN 5X6封装，具有良好散热性，已100%通过UIS（非嵌位感性负载开关过程）和▽VDS测试，非常适用于DC-DC转换器、电源管理功能、背光源等相关应用。

2020-11-30 - 新产品代理服务技术支持采购服务

【产品】内置两个MOS管的DFN5060-8L封装N沟道增强型场效应晶体管YJGD20G10A，采用高密度单元设计

扬杰科技推出的N沟道增强型场效应晶体管YJGD20G10A，内置两个MOS管，MOS管的漏源电压均为100V，漏电流均为20A（@TC=25°C）。采用高密度单元设计，具有较低RDS（ON），最大不超过22mΩ（@VGS= 10V, ID=15A），较低的导通电阻可降低开关损耗。

2020-11-24 - 新产品代理服务技术支持采购服务

结型场效应晶体管*低频/低噪声

本资料提供了多种型号的低频/低噪声JFET（结型场效应晶体管）的技术规格和应用信息。内容包括不同封装类型的N沟道和P沟道JFET的特性参数，如栅极电流、漏源电压、击穿电压等，并介绍了中央半导体公司的产品支持和服务。

CENTRAL SEMICONDUCTOR - N-CHANNEL JUNCTION FETS,P-CHANNEL JUNCTION FETS,N沟道结场效应晶体管,结场效应晶体管,JUNCTION FETS,P沟道结场效应晶体管,2N5461,2N5462,2N5020,2N5460,PN3687,2N3820,PN4360,PN4302,2N2609,2N2608,2N4340,PN4304,PN4303,2N5458,2N5557,2N5459,2N5457,2N5556,2N4221,2N4220,2N4341,2N4222,2N4339,2N4338,PN3685,PN3686

6-December 2004 - 数据手册代理服务技术支持采购服务