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请问世强公司有没有代理IGBT模块？1700V的
您好，世强有代理Littelfuse的产品，有1700V的IGBT模块，下面的链接是IGBT模块的选型手册下载地址：https://www.sekorm.com/doc/111196.html
世强代理的IGBT模块都有谁家的？380交流用，10A的有没有推荐的原型。
世强代理的IGBT模块品牌是Vincotech。也是 国际上比较稳定 的IGBT品牌。380V 10A的， 一般选用的是1200V的模块，10-FZ12PMA010M7-P849A28。 具体可以参照下模块的介绍https://www.sekorm.com/news/98098622.html。
世强有代理双面水冷的1200V、600A的IGBT模块么
目前世强没有代理的IGBT模块中暂时没有双面水冷的模块，代理Vincotech IGBT模块，如需选型，详细参考: https://www.sekorm.com/Web/Search/keyword/vincotech
世强有代理450A的igbt模块吗？
世强有代理vincotech的IGBT模块，其中450A模块推荐新推出的E3模块，型号为a0-vx122pa450m7-l758f70x，规格450A/1200V半桥模块，采用最新M7晶圆，通用EconoDUAL3封装。
世强代理的igbt模块哪家好？
世强代理的Vincotech产品线可以提供标准IGBT模块产品，也可以提供定制化解决方案。
【选型】OBC用SiC MOS推荐WM2A075120L， 漏源极电压高达1200V，连续漏极电流33A
11KW的OBC项目需要一款SiC MOS，1200V电压、内阻60mΩ~80mΩ、TO247四角封装。推荐中电国基南方WM2A075120L，漏源极电压1200V，高阻压，适合高压复杂情况；连续漏极电流33A，驱动简单。
ROHM（罗姆） SiC（碳化硅）MOSFET选型指南（中文）
SiC MOSFET原理上在开关过程中不会产生拖尾尾电流，可高速运行且开关损耗低。低导通电阻和小型芯片尺寸造就较低的电容和栅极电荷。此外，SiC还具有如导通电阻增加量很小的优异的材料属性，并且有比导通电阻可能随着温度的升高而上升2倍以上的硅（Si）器件更优异的封装微型化和节能的优点。
ROHM - SIC场效应晶体管,SIC MOSFET,SCT3160KL,SCT4062KR,SCT3030KLHR,SCT4013DE,SCT3080AW7,SCT2450KE,SCT3160KW7,SCT2H12NZ,SCT4062KW7HR,SCT2450KEHR,SCT4013DR,SCT3060ALHR,SCT3040KRHR,SCT3060ARHR,SCT3040KLHR,SCT4036KEHR,SCT4045DRHR,SCT3022KLHR,SCT2160KE,SCT3080KW7,SCT3017ALHR,SCT3022AL,SCT3080ALHR,SCT3060AR,SCT3105KLHR,SCT4036KR,SCT3060AL,SCT4026DEHR,SCT4062KRHR,SCT3040KR,SCT2080KE,SCT3080KR,SCT3105KRHR,SCT3120AL,SCT4013DW7,SCT3030KL,SCT4062KWAHR,SCT4062KE,SCT3080ARHR,SCT4036KW7,SCT2280KEHR,SCT3120ALHR,SCT2280KE,SCT4062KWA,SCT3030AR,SCT3030AL,SCT3030AW7,SCT4036KRHR,SCT4045DEHR,SCT3120AW7,SCT3040KL,SCT3105KW7,SCT2080KEHR,SCT4018KW7,SCT4045DWA,SCT3080KL,SCT3030ALHR,SCT4062KW7,SCT3040KW7,SCT3022ALHR,SCT3030ARHR,SCT4045DW7,SCT3017AL,SCT4036KE,SCT4018KE,SCT4045DE,SCT4026DW7,SCT4062KEHR,SCT3080AR,SCT4026DW7HR,SCT4026DE,SCT4026DWA,SCT3160KLHR,SCT3080AL,SCT4045DW7HR,SCT4045DR,SCT2160KEHR,SCT3022KL,SCT4018KR,SCT4026DR,SCT4045DWAHR,SCT3105KL,SCT3160KW7HR,SCT3105KR,SCT3080KLHR,SCT3060AW7,SCT4026DRHR,SCT3080KRHR,SCT4026DWAHR
扬杰科技应用在OBC上的SiC MOS半桥模块（SMPD）封装相比于单管产品有何优点？
扬杰科技应用在OBC上的SiC MOS半桥模块是顶部散热封装，且内部集成绝缘陶瓷垫片，具备良好的可靠性，与外部绝缘垫片的单管相比，热阻也更低，此外其内部还可以集成NTC热敏电阻。
维安SiC MOS：高压化与大电流化趋势下的前沿探索
维安拥有行业前沿的SiC创新技术，目前SiCMOS产品电压涵盖650V~1700V，电阻涵盖10mΩ~720mΩ，并且有TO-247、TO-247-4L(ISO)、TOLL、TO-263-7L等封装来满足不同的应用需求。同时维安也在积极升级、研发更多的 SiC 产品以顺应高压化、大电流化发展趋势。
爱仕特定制化SiC MOS芯片助力开发全新SiC MOS电机控制器平台，推动新能源行业发展
爱仕特科技与深圳依思普林合作数年，曾在2022年为依思普林提供400颗定制化1700V17毫欧SiC MOS芯片，配合其开发全新SiC MOS电机控制器平台。
请问：碳化硅的有300A、400A、600A，1200V，及耐压以上的吗？其驱动电路与驱动IGBT的一样吗
推荐采用rohm的SiC模块，耐压1200V的模块电流规格范围80A-600A，耐压1700V的模块电流规格为250A。可参考链接：【选型】ROHM（罗姆）SIC碳化硅功率元器件选型指南。IGBT对驱动电压的要求为-10V和+15V，而SiC MOS对驱动电压的要求通常为-5V和+20V，在设计时需要注意。
CRE SIC模块CAS120M12BM2若用SIC单管方案做，是否有合适的单管推荐？
推荐力特SIC-MOS LSIC1MO120E0080，1200V/80mohm，TO-247-3L封装，数据手册可参考：https://www.sekorm.com/doc/96459.html
森国科 SiC MOS 选型表
森国科SiC MOS产品选型表展示了不同型号产品的详细参数，包括产品名称、封装形式、反向耐压、导通电阻和工作结温等。表格中列出了多个型号，如KM040120-R、K3J045065-R等，涵盖了不同的反向耐压和导通电阻值。
森国科 - 碳化硅MOS,SIC MOS,超结MOS,K3J045065-R,KM040120-R,K3J100065-C,K3J380065-T,K3J280065-T,K3J1200065-T,K3J180065-T,KM040120-J,K3M080120-R
OBC项目中主流PFC是什么拓扑，SIC MOS在PFC部分应用前景怎样？
目前OBC主流的PFC拓扑为图腾柱PFC，ROHM 有测试使用650V SIC MOS替换传统Si MOS做性能对比，效率方面有明显提升，随着sic mos成本降低会成为OBC PFC开关器件的理想选择。具体效率测试情况可以参考：https://www.sekorm.com/news/31418510.html。
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