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需求氮化镓产品，电压100V，峰值电流需满足30A，平均电流满足1.5A，导通电阻30mΩ以内，封装越小越好。
可以看下EPC的增强型功率晶体管 EPC2007C，100V，30mΩ,电流40A, 世强这边有库存。
您好，想找个氮化镓，现在是要求耐压值在80v，电流在8A左右，内阻15毫欧以内请问有合适的推荐吗？
您好！根据您的要求推荐EPC的EPC2252，现在这个氮化镓是车规物料，耐压值在80v，电流8.2A，内阻11毫欧，更高的效率–更低的传导和开关损耗，零反向恢复损耗 详情请参考数据手册：https://www.sekorm.com/doc/3768283.html
60W直放站项目上寻一款NMOS，100V耐压，漏电流至少120A，最大导通电阻4mΩ以内，5*6封装，求推荐。
推荐NCE NMOS NCEP038N10GU，DFN5X6-8L封装，最大漏源电压VDS为100V，最大漏电流ID为135A，最大导通电阻3.8mΩ，工作温度范围-55℃ ~ 150℃，相关规格书参考链接：https://www.sekorm.com/doc/2377445.html。
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伊萨SMD封装电阻VLx 系列有什么特点？
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EPC eGaN®FET/晶体管选型表
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产品型号
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品类
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Configuration
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VDSmax(V)
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VGSmax(V)
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Max RDS(on) (mΩ)
@ 5 VGS
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QG typ(nC)
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QGS typ (nC)
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QGD typ (nC)
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QOSS typ (nC)
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QRR(nC)
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CISS (pF)
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COSS (pF)
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CRSS (pF)
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ID(A)
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Pulsed ID (A)
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Max TJ (°C)
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Package(mm)
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Launch Date
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EPC2040
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Enhancement Mode Power Transistor
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Single
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15
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6
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30
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0.745
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0.23
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0.14
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0.42
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0
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86
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67
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20
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3.4
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28
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150
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BGA 0.85 x 1.2
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Apr, 2017
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产品型号
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品类
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最大耐压（V）
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持续电流(A)
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导通阻抗(mΩ)
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导通电荷(nC)
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峰值电流(A)
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封装（mm)
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EPC2040
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Enhancement Mode Power Transistor
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15V
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3.4A
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30mΩ
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0.745nC
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28A
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BGA 0.85 mm*1.2mm
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