3个回答
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- 用户_4229 (1)
推荐使用用SGMICRO（圣邦微）推出的mos驱动芯片sgm48000，双通道正相输入，能够提供最大2A的峰值电流，并且工作温度范围可达-40℃~+125℃，采用TDFN-2×2-8L和soic8两款封装。可以参考文章：【应用】低成本高性能的MOS驱动芯片SGM48000助力电源双路MOSFET驱动。隔离驱动芯片推荐SILICON LABS的隔离驱动芯片si8273，具有4A的峰值驱动电流，可以满足到MHz的开关频率，cmti的典型值到200Kv/us，驱动侧供电电压支持到30V,可以用来驱动sic mos管驱动，相比其它的驱动芯片，可以提供高的可靠性。可以参考文章：【应用】高可靠性隔离驱动芯片SI8273助力驱动SIC MOS管。
- 创建于2019-11-11
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- Sky Lv7 . 资深专家 (0)
- 罗母半导体做这方面最多。
- 创建于2019-11-13
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- Memory Lv7 (0)
- 您好，推荐芯科的si8233,具有两路独立的驱动，并且支持原副边5V的隔离电压，每路的峰值驱动电流达4A，所以在电源类产品的拓扑半桥或者全桥电路，资料链接：https://www.sekorm.com/doc/1731802.html；运用参考链接：https://www.sekorm.com/news/65683200.html
- 创建于2019-11-11
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SGMICRO栅极驱动器选型表
栅极驱动器，MOS、GAN、IGBT驱动芯片，同相或反相驱动，最大11A驱动电流，ns级别上升下降时间，车规认证。
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产品型号
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品类
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Features
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Output PeakCurrent(A)
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VCC (Min)(V)
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Rise Time(ns)
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Fall Time(ns)
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ICC(mA)
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Package
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SGM48002
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Gate Driver
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Inverting and Non-Inverting
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2
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4.5
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12
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13
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1.19
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SOIC-8 TDFN-2×2-8L
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