【产品】4.4mJ低关断能量的XPT IGBT模块MIXD200W650TEH,隔离电压高达3600V

2018-06-22 IXYS(Littelfuse收购)
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IXYSLITTELFUSE收购)推出的MIXD200W650TEH XPT IGBT模块自重为270g,隔离电压为3600V(t=1秒)。MIXD200W650TEH XPT IGBT模块具有高度集成特性,只需要一个功率半导体模块来整个驱动。同时具有坚固的XPT设计,使其可允许短路10us,并具有非常低的闸极电荷,极低的电磁干扰和矩形RBSOA(@2x Ic),而沟槽XPT的设计,使其具有极低的VCE(sat)和关断能量。


IXYS的这款MIXD200W650TEH XPT IGBT模块还具有温度传感功能,同时, SONICTM二极管具有快速和软反向恢复能力,并具有低工作正向电压。可以应用在交流电机驱动,太阳能逆变器,医疗设备,不间断电源,空调系统,焊接设备,开关模式,谐振模式电源,感应加热炊具,水泵,风机等领域。


IXYS(Littelfuse收购) MIXD200W650TEH XPT IGBT模块

图1 MIXD200W650TEH XPT IGBT模块内部电路图


IXYS推出的MIXD200W650TEH XPT IGBT模块的集电极发射极电压VCES为650V,25℃时的集电极电流IC25为280A。它还具有极低的集电极-发射极饱和电压VCE(sat),仅为1.5V,开关特性较好。每脉冲的关断能量Eoff为4.4mJ。MIXD200W650TEH XPT IGBT模块具有优良的封装特性,为E3-Pack封装,符合行业标准,通过RoHS无铅认证,有PCB安装焊接引脚,高度仅为17mm,基板为DCB陶瓷型。

图2 MIXD200W650TEH XPT IGBT模块实物图


MIXD200W650TEH XPT IGBT模块特点和优势:

·高集成度

·坚固的XPT设计

·VCE(sat)极低(1.5V)

·SONICTM二极管能够快速和软反向恢复

·SONICTM二极管的工作正向电压较低

·低关断能量(4.4mJ)

·低电磁干扰

·温度传感功能

·RoHS无铅认证

·PCB安装的焊接引脚


MIXD200W650TEH XPT IGBT模块应用领域:

·交流电机驱动

·太阳能逆变器

·医疗设备

·不间断电源

·空调系统

·焊接设备

·开关模式

·谐振模式电源

·感应加热炊具

·水泵

·风机

 

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