【经验】教你验证SID1182K隔离驱动芯片能否驱动600A/1200V IGBT模块

时间： 2019-01-02 来源：世强

技术问答

IGBT驱动电路设计的优劣、驱动参数设置是否合理，关系到IGBT能否长期稳定的工作。下面我们就以VINCOTECH的IGBT模块（A0-VS122PA600M7-L759F70）和PI 隔离驱动芯片（SID1182K）为例，验证SID1182K能否驱动600A/1200V IGBT模块。

图1所示为采用SID1182K设计的IGBT驱动电路：

图1：采用SID1182K设计IGBT驱动电路

测试条件：

Rgon=1.5Ω，Rgoff=2.4Ω

IGBT模块：A0-VS122PA600M7-L759F70（规格600A/1200V）

开关频率：10kHz

其中，Vincotech IGBT模块（A0-VS122PA600M7-L759F70）为最新推出的E3模块，采用M7晶圆，其栅极电荷量Qg为6700nC，栅极内阻Rg为0.67Ω。测试结果如下：

1、在门极电压摆幅为27V的条件下，门极开通过程中，SID1182K给IGBT模块门极注入的门极峰值电流为6.16A。如图2所示：

图2、门极开通电流波形

2、在门极电压摆幅为27V的条件下，门极关断过程中，SID1182K从IGBT模块门极抽取的门极峰值电流为5.85A。如图3所示：

图3、门极关断电流波形

从上述两个波形来看，当SID1182K直接驱动600A/1200V的IGBT模块（A0-VS122PA600M7-L759F70）时，其门极开通和关断峰值电流分别为6.16A和5.85A，均小于8A，证明SID1182K完全可以提供足够的峰值电流驱动600A/1200V的IGBT模块。

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