【产品】IDT 发布行业首款兼容LRDIMM、RDIMM和NVDIMM的3200MT/s芯片组
IDT（RENESAS收购）发布了 4RCD0232K 寄存器和 4DB0232K 数据缓冲器样品。该芯片组集成了加入到最新一代 JEDEC 标准（针对 3200 MT/s 性能设备所定义）的功能，包括决策反馈均衡 (DFE)、NVDIMM 专用通信端口和精细输出信号回叫控制。除了提供新的功能和性能增强元件，该芯片组还实现了行业中当前最低的 DDR4 芯片组功率。
随着多插槽内存子系统的速度不断提高，回叫和串扰会降低信号电压幅值的质量，因而使得识别信号的逻辑电平变得困难。DFE 是一种从噪声中恢复原始信号并增加信号强度的技术，如图 1 中所示。IDT 多年来一直在与重要的生态系统合作伙伴和控制器供应商合作，推动必要的系统培训软件和固件的开发，从而充分发挥 DFE 的优势，IDT 也是促成将该技术加入最新规范修订版的主要支持者。
图 1：DFE对信号强度的影响
IDT 还加入了旨在增强 NVDIMM 的密度和性能的一系列功能。芯片组与 NVDIMM 控制器之间的新通信接口，以及用于在灾难性停电时进行快速可靠恢复的自动状态机，都支持服务器和存储的新一代容错和性能加速。除了密度和性能，通过集成前几代 NVDIMM 使用的大量外部元件，芯片组还节省了成本。该芯片组可无缝配合 IDT 的 P8800 NVDIMM 电源管理芯片，提供一个具有可通过编程支持供电排序、电压故障转移和备用电源保护功能的完整解决方案。
IDT 内存接口部副总裁兼总经理 Rami Sethi 表示：“该芯片组是过去几年我们所付出努力的结晶，可将 DRAM 和存储级内存解决方案的带宽和密度提升到全新水平。为了提高多插槽内存拓扑的速度，IDT 与我们的客户和生态系统合作伙伴紧密合作，将高速串行接收器的常用技术引入了内存子系统。”
Micron 计算与网络业务部营销副总裁 Malcolm Humphrey 表示：“Micron 当前正在检验 IDT DDR4 3200 寄存器和数据缓冲器工程样品。该芯片组使高成本效益的 LRDIMM 3200 解决方案成为可能，还有望将我们设计的 NVDIMM 提升到更高速度。”
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