【选型】一文教你认识在光伏逆变器、车载电源等应用中SiC MOS管和IGBT的性能区别

2019-02-26 世强
SiC MOS管,IGBT单管,RBN25H125S1FPQ-A0,LSIC1MO120E0080 SiC MOS管,IGBT单管,RBN25H125S1FPQ-A0,LSIC1MO120E0080 SiC MOS管,IGBT单管,RBN25H125S1FPQ-A0,LSIC1MO120E0080 SiC MOS管,IGBT单管,RBN25H125S1FPQ-A0,LSIC1MO120E0080

SiC材料具有击穿电压高、载流子饱和漂移速度快、热稳定性好以及热导率高等优势,SiC MOS管在光伏逆变器、车载电源等产品中的应用越来越广泛。为了更加深入的了解SiC MOS管的优势特征,本文对SiC MOS管和IGBT进行了性能对比分析。


静态特性对比

这里我们选择LITTELFUSE的SiC MOS管LSIC1MO120E0080RENESASIGBT单管RBN25H125S1FPQ-A0进行对比,二者的耐压分别为1200V和1250V,在Tc=100℃时的额定电流均为25A,如表1所示:


表1、SiC MOS管与IGBT静态参数对比


如图1所示,为SiC MOS管LSIC1MO120E0080和IGBT单管RBN25H125S1FPQ-A0在不同栅电压(VGS或VGE)的I-V输出特性曲线:


图1、SiC MOS管和IGBT单管I-V输出特性对比


如图1a所示,SiC MOS管LSIC1MO120E0080的VGS大于18V之后特性曲线的斜率变化较小。如图1b所示,IGBT单管RBN25H125S1FPQ-A0的VGE大于15V时特性曲线的斜率基本不变。SiC MOS管的跨导系数(gfs)较小,沟道迁移率较低,VGS较高时才能获得低导通电阻,为了保证SiC MOS管具有低导通损耗,其驱动电压要高于18V,而IGBT的驱动电压通常为15V即可。


动态特性对比

图2所示分别为SiC MOS管和IGBT单管的开关损耗随驱动电阻Rg的变化曲线:


图2、SiC MOS管和IGBT单管开关损耗对比


由图2可以看到,SiC MOS管和IGBT单管的开关损耗都会随驱动电阻Rg的增大而变大。其中,SiC MOS管的开通和关断损耗都比较低,开关损耗低于650uJ,而IGBT单管的开关损耗最高达到6.5mJ,SiC MOS管的开关损耗远低于同规格IGBT单管,因此可以实现更高的开关频率和效率。

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签约新闻    发布时间 : 2023-09-18

阿基米德半导体携光储及车用IGBT模块实力亮相上海第十七届SNEC展会!

6月13至15日,阿基米德半导体在十七届全球SNEC展会璀璨亮相,阿基米德半导体展示了SiC MOSFET/IGBT单管,半桥IGBT模块,三电平IGBT模块, SiC模块等众多产品。这些产品广泛应用于直流快充/超充,工业电源,感应加热,光伏逆变器,储能PCS,新能源汽车等领域,为行业实现了更高的可靠性和能源转化效率。

原厂动态    发布时间 : 2024-06-22

扬杰科技2024慕尼黑上海电子展回顾,展示新能源汽车、光伏逆变器、储能逆变器等多元领域的产品解决方案

2024年7月8-10日,为期三天的慕尼黑上海电子展圆满落幕,扬杰科技凭借卓越先进的展品、行业应用解决方案、独具一格的展台设计,现场销售人员、FAE、PM、行业经理等进行专业接待交流,吸引大量新老客户来现场进行互相交流探讨,展会现场人流如织,使得扬杰科技成为本次展会一大亮点。

原厂动态    发布时间 : 2024-07-13

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品类:IGBT

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